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  • 型号: BSC440N10NS3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BSC440N10NS3 G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC440N10NS3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSC440N10NS3 G价格参考以及InfineonBSC440N10NS3 G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSC440N10NS3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有BSC440N10NS3 G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSC440N10NS3+Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122604520d47f56

产品图片

产品型号

BSC440N10NS3 G

PCN其它

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 12µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

810pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10.8nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

44 毫欧 @ 12A,10V

供应商器件封装

PG-TDSON-8(5.15x6.15)

其它名称

BSC440N10NS3 GDKR

功率-最大值

29W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-PowerTDFN

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.3A (Ta), 18A (Tc)

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